中新社合肥9月20日电 (记者 张俊)长鑫存储内存芯片自主制作项目20日在安徽合肥宣告投产，其出产的10纳米级第一代8GB DDR4与世界干流DRAM产品同步，一期规划产能每月12万片晶圆。

DRAM即动态随机存取存储器，是芯片工业中产量占比最大的单一品类。2018年，我国芯片进口额超越3000亿美元，这个单一品类就占到了其间的两成以上。其作为最常见的内存芯片，被喻为衔接中央处理器的"数据高速公路"，广泛应用于高性能核算、工业设备、消费电子等电子产品之中。

合肥长鑫存储内存芯片自主制作项目以打造规划和制作一体化的内存芯片国产化郑州汽车抵押贷款制作基地为方针。2016年5月，项目由合肥市政府旗下出资渠道合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易立异一起出资组成，该项目总出资约1500亿元人民币，是安徽省单体出资最大的工业项目。现在，项目已取得我国工信部旗下检测组织——我国电子技能标准化研究院的量产良率检测陈述。

清华大学微电子所所长魏少军、我国科学技能大学特聘教授陈军宁等业界专家表明，这标志我国在内存芯片范畴完成量产技能打破，具有了这一要害战略性元器件的自主产能。(完)

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